仪器简介

利用离子束轰击靶材，使靶材原子溅射并沉积在基底上形成薄膜，可制备多种材料薄膜。在电子器件、光学器件、光伏器件、传感器、涂层等领域广泛应用，用于制造高质量薄膜，提升相关产品性能。

关键指标

与其它CVD和PVD薄膜技术相比，具有薄膜材料最普遍适用性，包括金属、非金属、合金、化合物和其它任何固体材料;具有最高的材料利用率和最高纯度制膜能力:本系统适合于最大φ100mm (样品尺寸向下兼容)样品的制备。系统备有多种措施用以改善薄膜均匀度，φ100 mm范围内薄膜厚度不均匀性误差≤土2%;极限真空度:无冷阱、不烘烤状态下，系统极限真空度≤8.5X10-5 Pa,系统真空检漏漏率:≤6.67X10-8Pa·L/s;系统充干燥氮气破除真空，从大气压状态下开始抽气，40分钟内真空度可达5X10 Pa;批次内离子束流和离子能量稳定度RMS测试值不超过士1%/h,不同批次间工艺重复性95%以上。

主要功能

该系统为双离子束辅助溅射薄膜沉积系统，可用于溅射沉积各种金属、非金属、合金、化合物及半导体材料的单层薄膜、多层薄膜，也可将单质材料通过反应合成氧化物、氮化物、碳化物等薄膜。

设备使用相关说明

校内：400元/小时。

校外：600元/小时。

应用案例