仪器简介

通过交替引入气态前驱体在基底表面反应，逐层沉积形成薄膜，具有高度均匀性和精确厚度控制。适用于微电子学、光电子学、能源存储、催化剂等领域，制备如半导体、氧化物、氮化物、硫化物等高质量薄膜。

主要配置

1、真空腔体。

2、前驱体汇流装置和前躯体管路。

3、压力调节停留模式兼容性。

4、薄膜沉积参数与沉积模式间的切换。

5、真空系统，尾气处理及控制。

6、预留扩展功能附件加载接口。

主要功能

原子层沉积系统主体、原子层沉积系统自动控制系统、真空获得系统、反应源瓶、TMA反应源、TiCl4反应源。

设备使用相关说明

校内：600元/小时。

校外：800元/小时。

应用案例