仪器简介

适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等，可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作，也可用于大批量生产前的试验工作。广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域。    

主要配置

有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统    

关键指标

（1）真空度：镀膜室的极限真空5×10-5 Pa，工作真空 ＜ 5×10-4 Pa；

（2）蒸发源系统：有机蒸发源6套（单只石英坩埚容量≥20 mL）、无机源2套；

（3）温控范围：室温-600 ℃，温度控制精度±0.5 ℃；

（4）样品架系统：不锈钢蒸发基片托2个常温Ф100   mm；

（5）烘烤加热：最高烘烤加热温度为室温～180℃，测温控温；

（6）无机蒸发源4套、容积5 mL，2台蒸发电源，加热电流300A，功率3.2Kw；

（7）石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999 Å；

（8）膜厚均匀性：≤3%    

主要功能

用于蒸发镀膜工艺，支持金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等的制备    

收费标准

院内20元/小时，校内院外26元/小时，校外34元/小时