仪器简介

ALD   是一种基于气相的薄膜生长技术，其特征是将两个或多个化学前驱体交替脉冲通入反应腔体与基底接触，实现单原子薄膜的连续沉积过程。由于与基底表面发生饱和化学吸附而形成的表面反应的自限制性，可以使得   ALD 在原子尺度上精确控制薄膜的厚度。    

主要配置

全金属密封反应腔体、尾气处理器、微型臭氧发生器、高温鼓泡器、低温取样瓶、流量控制计、防腐薄膜规、机械泵    

关键指标

（1）反应腔温度：最高工作温度400   ±1 ℃；

（2）样品尺寸：适用于不大于4英寸的晶圆样品以及毫克级粉末样品；

（3）前驱体温度：低温前驱体：工作温度为室温-100 ± 1℃；高温前驱体：工作温度室温-200±1℃。    

主要功能

可用于沉积多种材料：如氧化物、氮化物、硫化物等纳米薄膜    

收费标准

院内325元/小时，校内院外423元/小时，校外553元/小时