仪器简介

广泛应用于半导体制造、微纳加工、MEMS制造等领域。它可以用于刻蚀多种材料，包括但不限于三五族化合物半导体（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金属等。衬底温度的设置和蚀刻过程的稳定性是高质量蚀刻的要求。采用动态温度控制的ICP基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在大范围温度范围内，提供了优良的工艺条件。    

主要配置

冷却循环水机、真空泵、附件箱、气路系统、排风处理系统、等离子源系统、电极与温度控制系统    

关键指标

（1）工艺气体：SF6、O2、Ar、CF4、C4F8、N2

（2）工艺温度：-150℃至+400℃

（3）样品尺寸：零碎片至Ф200mm基片    

主要功能

主要应用于III-V族化合物半导体（GaAs、InP、GaN等）、硅基材料（SiC、SiGe）的刻蚀，高深宽比结构的硅基MEMS器件加工，石英、玻璃、金属等材料的精密刻蚀